國產(chǎn)模塊平臺

西門(mén)康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結構和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。西門(mén)康IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。在西門(mén)康IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場(chǎng)效應管MOSFET被用于需要快速開(kāi)關(guān)的中低壓場(chǎng)合，晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOSFET雖然有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩定性好、驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn);但是，在200V或更高電壓的場(chǎng)合，MOSFET的導通電阻隨著(zhù)擊穿電壓的增加會(huì )迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在著(zhù)不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優(yōu)異的低正向導通壓降特性，雖然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是它要求的驅動(dòng)電流大，控制電路非常復雜，而且交換速度不夠快。同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長(cháng)。國產(chǎn)模塊平臺

模塊

英飛凌IGBT綜述：我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級，適用于幾乎所有應用。市場(chǎng)的62mm、Easy和Econo系列、IHM/IHVB系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了的IGBT技術(shù)。它們有斬波器、DUAL、PIM、四單元、六單元、十二單元、三電平、升壓器或單開(kāi)關(guān)配置，電流等級從6A到3600A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數兆瓦。這些產(chǎn)品可用于通用驅動(dòng)器、牽引、伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風(fēng)電應用）等應用，具有高可靠性、出色性能、高效率和使用壽命長(cháng)的優(yōu)勢。IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應用實(shí)現一致性的散熱性能。此外，IGBT模塊可以借助壓接引腳進(jìn)行安裝，從而實(shí)現無(wú)焊料無(wú)鉛的功率模塊安裝。英飛凌可控硅：綜述：6.5kV片式晶閘管系列包括四款強大而可靠的片式器件，專(zhuān)為滿(mǎn)足中壓軟起動(dòng)器應用的特殊要求而開(kāi)發(fā)。所有器件均具備很強的抗浪涌電流能力。開(kāi)關(guān)性能經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可以按串聯(lián)器件的數量輕松調整軟起動(dòng)器，以適應不同的工作電壓。該器件還適用于通用線(xiàn)電壓整流器應用，如電源和標準驅動(dòng)。品質(zhì)模塊裝潢IGBT的驅動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。

分兩種情況：②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時(shí)，空穴從P+區注入到N基區進(jìn)行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。IGBT各世代的技術(shù)差異回顧功率器件過(guò)去幾十年的發(fā)展，1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO，該時(shí)段的產(chǎn)品通態(tài)電阻很小；電流控制，控制電路復雜且功耗大；1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著(zhù)終端應用的需求，需要一種新功率器件能同時(shí)滿(mǎn)足：驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單,以降低成本與開(kāi)關(guān)功耗、通態(tài)壓降較低，以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術(shù)集成起來(lái)的研究，導致了IGBT的發(fā)明。1985年前后美國GE成功試制工業(yè)樣品（可惜后來(lái)放棄）。自此以后，IGBT主要經(jīng)歷了6代技術(shù)及工藝改進(jìn)。從結構上講，IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向：1）IGBT縱向結構：非透明集電區NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區NPT型和FS電場(chǎng)截止型；2）IGBT柵極結構：平面柵機構、Trench溝槽型結構；3）硅片加工工藝：外延生長(cháng)技術(shù)、區熔硅單晶；其發(fā)展趨勢是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開(kāi)關(guān)損耗(EoffEon)。

英飛凌整流橋綜述EconoBRIDGE整流器模塊應用在完善的Econo2和Econo4封裝中。它們可以與EconoPACK2&3和EconoPACK4封裝三相橋較高程度地配合使用。EconoBRIDGE可在整流級有二極管時(shí)實(shí)現不控整流，也可在整流級中使用晶閘管實(shí)現半控整流。關(guān)鍵特性?高集成度：整流橋、制動(dòng)斬波器和NTC共用一個(gè)封裝，可節約系統成本?靈活性：可定制的封裝（引腳位置和拓撲結構可根據客戶(hù)需求定制）?一體通用：多種拓撲和電流（100A-360A）等級適用于多種應用，實(shí)現平臺化戰略?功率密度：與TrenchstopIGBT3相比，TrenchstopIGBT4技術(shù)的Tvjop達到150°C,具有更高的功率密度，適用于緊湊型逆變器設計?性能：與標準模塊相比，預涂熱界面材料（TIM）可以提高輸出功率并延長(cháng)使用壽命?標準化：建立符合RoHS的封裝理念，實(shí)現高可用性?簡(jiǎn)便性：PressFIT用于主端子以及輔助端子，以減少裝配的工作量應用領(lǐng)域?電機控制和驅動(dòng)?采暖通風(fēng)與空調(HVAC)?不間斷電源(UPS)100kVA?太陽(yáng)能系統解決方案?工業(yè)加熱和焊接后來(lái)，通過(guò)采用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數折衷方面的一個(gè)改進(jìn)。

賽米控IGBT驅動(dòng)系列賽米控提供兩種不同的IGBT驅動(dòng)系列，可涵蓋任何應用。可使用適配板針對各類(lèi)模塊優(yōu)化SKHI和SKYPER系列的驅動(dòng)。SKYPERPrime等驅動(dòng)提供技術(shù)完善的即插即用解決方案，可在實(shí)際應用中節省時(shí)間和成本。SKYPER系列的單通道輸出功率為1W至4W，涵蓋30kW至2MW全功率范圍的逆變器。賽米控的新型ASIC芯片組具有高集成度，可在整個(gè)生命周期內提供安全的IGBT門(mén)極控制。通過(guò)隔離故障通道，可快速解決短路問(wèn)題。軟關(guān)斷和過(guò)電壓反饋可避免危險的過(guò)電壓?jiǎn)?wèn)題。混合信號ASIC保證在整個(gè)溫度范圍內都有比較低的誤差。MLI或并聯(lián)IGBT拓撲結構通過(guò)可調故障處理技術(shù)進(jìn)行管理。憑借優(yōu)化的接口和可調濾波器設置，SKYPER系列在噪聲干擾嚴重的環(huán)境中也可安全運行。賽米控的適配板可利用各種IGBT模塊構建的逆變器平臺。的亮點(diǎn)有SKYPER12驅動(dòng)核，以及采用電氣和光學(xué)接口的即插即用型驅動(dòng)SKYPERPrime。SKYPER12PVR屬于款的驅動(dòng)核，能夠提供20A輸出峰值電流并允許在1500VDC下實(shí)現極其緊湊的設計。其功能和魯捧性使其非常適合用于太陽(yáng)能應用。SKYPERPrime提供集成式絕緣直流母線(xiàn)和溫度測量能力，還能幫助客戶(hù)大幅降低系統成本。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。模塊大概價(jià)格多少

封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。國產(chǎn)模塊平臺

200～1500V一次短路電流1～1200A1～200A±3%±1A；1～1200AVge柵極電壓10～30V10～+30V±1%±10～30V本測試單元包括動(dòng)態(tài)參數測試組成部分，主要組成材料及其要求如下所示。動(dòng)態(tài)參數測試部分主要材料清單表格12動(dòng)態(tài)參數測試部分組成序號組成部分單位數量1可調充電電源套12直流電容器個(gè)83動(dòng)態(tài)測試負載電感套14安全工作區測試負載電感套15補充充電回路限流電感L個(gè)16短路保護放電回路套17正常放電回路套18高壓大功率開(kāi)關(guān)個(gè)59尖峰抑制電容個(gè)110主回路正向導通晶閘管個(gè)211動(dòng)態(tài)測試續流二極管個(gè)212安全工作區測試續流二極管個(gè)313被測器件旁路開(kāi)關(guān)個(gè)114工控機及操作系統套115數據采集與處理單元套116機柜及其面板套117壓接夾具及其配套系統套118加熱裝置套119其他輔件套1動(dòng)態(tài)參數測試單元技術(shù)要求環(huán)境條件1)海拔高度：海拔不超過(guò)1000m；2)溫度：儲存環(huán)境溫度-20℃～60℃；3)工作環(huán)境溫度：-5℃～40℃；4)濕度：20%RH至90%RH(無(wú)凝露，濕球溫度計溫度:40℃以下)；5)震動(dòng)：抗地震能力按7級設防，地面抗震動(dòng)能力≤；6)防護：無(wú)較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；1）可調充電電壓源用來(lái)給電容器充電，實(shí)現連續可調的直流母線(xiàn)電壓，滿(mǎn)足動(dòng)態(tài)測試、短路電流的測試需求。國產(chǎn)模塊平臺

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司坐落于昆山開(kāi)發(fā)區朝陽(yáng)東路109號億豐機電城北樓A201，是集設計、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、售后服務(wù)于一體，電子元器件的貿易型企業(yè)。公司在行業(yè)內發(fā)展多年，持續為用戶(hù)提供整套IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器的解決方案。公司主要經(jīng)營(yíng)IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器等，我們始終堅持以可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，良好的服務(wù)理念，優(yōu)惠的服務(wù)價(jià)格誠信和讓利于客戶(hù)，堅持用自己的服務(wù)去打動(dòng)客戶(hù)。英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼致力于開(kāi)拓國內市場(chǎng)，與電子元器件行業(yè)內企業(yè)建立長(cháng)期穩定的伙伴關(guān)系，公司以產(chǎn)品質(zhì)量及良好的售后服務(wù)，獲得客戶(hù)及業(yè)內的一致好評。江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司本著(zhù)先做人，后做事，誠信為本的態(tài)度，立志于為客戶(hù)提供IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器行業(yè)解決方案，節省客戶(hù)成本。歡迎新老客戶(hù)來(lái)電咨詢(xún)。

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